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本文目录一览：

• 1、为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形...
• 2、MOS管的工作原理
• 3、详解功率MOS管的每一个参数
• 4、试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中,靠近漏极的导电沟道较窄...
• 5、绝缘栅增强型NMOS管的特性

为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形...

MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。

自由电子在沟道内扩散形成了梯度，所以沟道从源极到漏极是由宽到窄逐渐变化的。图略。

管子仍不能导通，处于截止状态。当V（GS）V（T）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。

在场效应管之中，Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压，就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以，Vgs的电压能够控制S-D电导，电压越高，电导越大。

源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。

G极是栅极，S是源极，D是漏极导通时是Vs=Vd，而不是，Vg=Vs。是可以继续导通的。

MOS管的工作原理

当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。

MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

详解功率MOS管的每一个参数

影响MOSFET在缓启动和防反接应用中效率的主要指标包括：电压等级、导通电阻、栅极电荷和优值系数、额定电流和功率耗散。电压等级 电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。

P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。

例如，一个典型的晶体管型号是“IRF740B”，其中爱尔兰“表示制造商（国际整流器），740“表示额定电压（740伏特），“B”表示这是N沟道晶体管。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

导通阻抗是指MOS管处于导通状态时源极和漏极之间的电阻，这个数值越小导通效果越好；开启电压是指增强型场效应管加在栅极和源极之间的控制电压达到使之开始导通的电压值。

试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中,靠近漏极的导电沟道较窄...

1、漏源间的电流相等，电流在微观上的解释中，正比与电子的速度。UDS产生的电场越靠近漏极，场强越大，所以速度越快。电流相等，推出，速度快的地方电子少。

2、耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

3、mos管是场效应管，是表面器件，对于增强型mos管是需要衬底反型形成导电沟道才能导电。上图为nmos管结构剖面图。当nmos管G不加电时，在漏源之间加电压，（漏接高源接低）。那么对于D端来看，衬底P和D端的n 是pn结反偏。

4、如果DS间不加电压，因为SD接在一起，所以GS和GD电压相等。GS和GD间都要至少维持夹断电压才能保证有导电沟道的存在。

绝缘栅增强型NMOS管的特性

1、、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。

2、P沟道耗尽型管。【特点】N沟道增强型管：删源间需要加一定正向电压才能管子才能开启，有一个开启电压Ugs；电流随栅源间正向电压增大而增大，转移特性曲线在第一象限，和三极管类似。

3、耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

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